MT41K256M16TW-107 :Ｐ IC 드램 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 :Ｐ
,MT41K256M16TW-107:P DRAM IC
,4GBIT DRAM IC
MT41K256M16TW-107 :Ｐ
제품 기술 :
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V) • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V – Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals • Programmable CAS (READ) latency (CL) • Programmable posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL) • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • TC of 105°C – 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C – 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C – 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C • Self refresh temperature (SRT) • Automatic self refresh (ASR) • Write leveling • Multipurpose register • Output driver calibration
기술적 매개 변수 :
| 제품 속성 | 헌사 가치에 |
| 제조사 : | 마이크론 테크놀러지 |
| 상품 종류 : | 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 |
| 타이핑하세요 : | SDRAM - DDR3L |
| 설치 방식 : | SMD / SMT |
| 패키징 / 박스 : | FBGA-96 |
| 데이터 버스 폭 : | 16비트 |
| 조직 : | 256 Ｍ Ｘ 16 |
| 기억 용량 : | 4 그비트 |
| 최대 클록 주파수 : | 933 마하즈 |
| 엑세스 시간 : | 20 나노 초 |
| 전원 전압 - 최대 : | 1.45 Ｖ |
| 전원 전압 - 최소 : | 1.283 Ｖ |
| 전력 공급 전류 - 최대값 : | 46 마 |
| 최소 동작 온도 : | 0 Ｃ |
| 최대 작업 온도 : | + 95 Ｃ |
| 시리즈 : | MT41K |
| 패키징하는 것 : | 트레이 |
| 상표 : | 마이크론 |
| 습도 감도 : | 예 |
| 상품 종류 : | DRAM |
| 양 공장 패키징 : | 1224 |
| 하위범주 : | 메모리 & 데이터 스토리지 |
| 단일 가중치 : | 3.337 Ｇ |
고객 서비스 :
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물론, 우리는 BOM을 제공하기 위해 프로팀을 있습니다.
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3. 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
저장고를 받은 후, 우리는 배달을 위해 상품과 접촉 물류관리를 싸는 것을 준비할 것입니다. 지속 기간은 3-7 일입니다.
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2. 경쟁력 있는 가격 책정
3. 부유한 BOM 경험
4. 완전한 애프터 서비스
5. 전문적 테스트 증명서
5. 우리의 서비스?
결제 방법 :전신환, L/C (신용장), D/P (지급도 조건), 인수 인도, 머니그램, 신용 카드, 페이팔, 웨스턴 유니온, 현금, 에스크로, 알리페이...
6. 운송 :
TNT, 페덱스, EMS, DEPX, 공중, 바다 선적인 DHL
제품 사진 :
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ :IC 플래시 128GBIT PAR 48TSOP 나
MT40A1G16KD-062E :Ｅ IC 드램 16GBIT 대비 96FBGA
MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC 순간 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
MT29F1G01ABAFDWB-IT :Ｆ IC 순간 1GBIT SPI 8UPDFN
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3 memory IC 2Gb parallel 1.066 GHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ :IC 플래시 128GBIT PAR 48TSOP 나 |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
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MT40A1G16KD-062E :Ｅ IC 드램 16GBIT 대비 96FBGA |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC 순간 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
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MT29F1G01ABAFDWB-IT :Ｆ IC 순간 1GBIT SPI 8UPDFN |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
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MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
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MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 2Gb parallel 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA (8x14)
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN（8x6）（MLP8）
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