MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC
,2GBIT DRAM IC
,MT41K128M16JT-125 AAT :Ｋ
MT41K128M16JT-125 AAT:K
제품 설명:
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 ∼1.45V) • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V에 역동 호환 • 이분법 양방향 데이터 스트로브 • 8n 비트 프리페치 아키텍처 • 이분계 시계 입력 (CK,CK#) • 8개의 내부 은행 • 데이터의 명목 및 동적 종료 (ODT), 스트로브, and mask signals • Programmable CAS (READ) latency (CL) • Programmable posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL) • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • Refresh maximum interval time at TC temperature range – 64ms at –40°C to +85°C – 32ms at +85°C to +105°C – 16ms at +105°C to +115°C – 8ms at +115°C to +125°C • Self refresh temperature (SRT) • Automatic self refresh (ASR) • Write leveling • Multipurpose register • Output driver calibration • AEC-Q100 • PPAP submission • 8D response time
기술 매개 변수:
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 마이크로 기술 |
| 제품 종류: | 동적 무작위 액세스 메모리 |
| 종류: | SDRAM - DDR3L |
| 설치 방식: | SMD/SMT |
| 포장/ 상자: | FBGA-96 |
| 데이터 버스 너비: | 16비트 |
| 조직: | 128 M x 16 |
| 저장 용량: | 2Gbit |
| 최대 시계 주파수: | 800 MHz |
| 접속 시간: | 130.75 ns |
| 전원 공급 전압 - 최대: | 1.45V |
| 전원 공급 전압 - 최소: | 1.283V |
| 전원 공급 전류 - 최대 값: | 65mA |
| 최소 작동 온도: | - 40C |
| 최대 작동 온도: | + 105 C |
| 시리즈: | MT41K |
| 포장: | 릴 |
| 포장: | 컷 테이프 |
| 포장: | 마우스 릴 |
| 상표: | 미크론 |
| 습도에 민감함: | 네 |
| 제품 종류: | DRAM |
| 공장 포장량: | 2000 |
| 하위 분류: | 메모리 및 데이터 저장 |
| 단위 무게: | 510mg |
고객 서비스:
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제품 사진:
MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 :Ｐ IC 드램 4GBIT PAR 96FBGA
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ :IC 플래시 128GBIT PAR 48TSOP 나
MT40A1G16KD-062E :Ｅ IC 드램 16GBIT 대비 96FBGA
MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC 순간 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
MT29F1G01ABAFDWB-IT :Ｆ IC 순간 1GBIT SPI 8UPDFN
MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3 memory IC 2Gb parallel 1.066 GHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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MT41K256M16TW-107 :Ｐ IC 드램 4GBIT PAR 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ :IC 플래시 128GBIT PAR 48TSOP 나 |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
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MT40A1G16KD-062E :Ｅ IC 드램 16GBIT 대비 96FBGA |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC 순간 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
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MT29F1G01ABAFDWB-IT :Ｆ IC 순간 1GBIT SPI 8UPDFN |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
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MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN（8x6）（MLP8）
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